2. ПРОГРАММА ПОДГОТОВКИ ПАРАМЕТРОВ КОМПОНЕНТОВ
ЭЛЕКТРОННЫХ СХЕМ (PEP)
2.1. Назначение программы PEP
Одной из самых серьезных проблем машинного моделирования электронных схем всегда была проблема задания адекватных реальным компонентам их математических моделей. Даже если такие модели хорошо известны (например модель Эберса-Молла для биполярного транзистора), ошибки в определении их многочисленных физических и электрических параметров (а тем более топологических) способны свести к нулю реальную пользу от моделирования. Это, пожалуй, главный аргумент всех противников моделирования электронных схем на компьютерах (до тех пор, пока они его не освоят).
К счастью, ситуация не столь трагична, как может показаться. Разброс параметров у современных полупроводниковых приборов и микросхем подчас столь значителен, что погрешность моделей в 10-20% вполне допустима. А польза от экспериментального исследования схем с такими приборами ничуть не выше, чем от их моделирования. Вопрос упирается стало быть, лишь в необходимость быстрого вычисления необходимых параметров моделей по ряду достаточно доступных (чаще всего усредненных справочных) обычных параметров приборов.
В системах Micro-CAP II используются достаточно апробированные и простые жесткие модели компонентов. В их жесткости и простоте заключены как достоинства, так и недостатки системы. Достоинства в том, что используется малое число хорошо известных схемотехникам электрических параметров компонентов. Недостаток в том, что точность моделей ограничена и нельзя расширять систему включением в нее принципиально новых моделей (применение полиномиальных источников спасает далеко не всегда).
Система автоматизированного анализа электронных схем Micro-CAP II имеет достаточно обширную библиотеку стандартных компонентов: диодов, транзисторов, операционных усилителей и т.д. Однако с развитием элементной базы может потребоваться дополнение и изменение этой библиотеки. Значительные трудности представляет собой нахождение параметров моделей компонентов по их справочным или экспериментальным характеристикам. Для облегчения указанного процесса в состав системы Micro-CAP II входит сервисная программа подготовки (расчета) параметров компонентов Parameter Estimation Program (PEP).
Программа PEP вызовется запуском исполняемого модуля pep.exe и позволяет формировать библиотеки параметров диодов, биполярных и полевых транзисторов, а также операционных усилителей по характерным точкам их характеристик и справочным параметрам на приборы. Сформированные модели хранятся в библиотеке программы PEP, которая размещена в двух файлах, создаваемых и корректируемых одновременно: pep4a.*** (параметры компонентов) и pep4b.*** (список имен). Расширение файлов .*** может задаваться пользователем с целью моделирования новых компонентов. Библиотека PEP позволяет хранить и обрабатывать модели до 600 компонентов (по 120 для каждого типа), которые при необходимости могут быть выборочно скопированы библиотеку Micro-CAP II.
2.2. Главное меню программы PEP
Инициализация исполняемого модуля pep.exe вызывает появление главного меню PEP следующего вида:
MAIN MENU:
1. Bipolar Transistor.
2. MOS Transistor
3. Semiconductor Diode.
4. Operational Amplifier.
5. Junction Field Effect Transistor.
6. Load/Save PEP library File.
7. Documentation.
P. Hard Copy of PEP library File.
C. Color Selection.

Select by Number or Hit ESC to Quit
Содержание пунктов меню очевидно. Поясним лишь, что пункт 7 позволяет сохранить полученные с помощью PEP параметры в библиотеке или, напротив, вызвать параметры из имеющейся библиотеки для корректировки. Пункт 8 обеспечивает выдачу подсказок по работе с PEP, пункт Р (заглавное) позволяет распечатать содержание библиотек PEP, а пункт С - изменять цвета таблиц параметров компонентов. Управление цветом осуществляется клавишами + , - , ->, <- с последующей фиксацией цвета нажатием Enter. Данные о цвете записываются в файл buffer.pep и сохраняются в последующих сеансах работы до следующей коррекции. При использовании монохромного дисплея указанная команда в меню отсутствует.
Рассмотрим порядок подготовки параметров компонентов.
При вызове любого из компонентов (пункты меню 1-5) на экране отображаются две таблицы: правая соответствует исходным данным (параметрам PEP), по которым PEP вычисляет параметры модели компонента в формате Micro- CAP II. Эти параметры отображаются в левой таблице. Заметим, что левая таблица - это еще не библиотека Micro-CAP II, а лишь набор расчетных параметров, хранящихся в ОЗУ машины. Для использования этих параметров в расчетах с помощью Micro-CAP II необходимо переписать эти параметры в библиотеку Micro- CAP II (см. ниже).
В верхних строках высвечивается тип компонента, его имя (Alias) и характеристика (Memo).
Для работы с моделями используется подменю, которое помещается в нижней строке экрана:
Edit Next Last View Jump Copy Alias
Memo Plot Help Sort Find Type Quit
<Редакт.><След.><Предш.><Обзор><Переход> <Копия><Имя>
<Характ.><График><Помощь><Сортировка><Поиск ><Тип><Выход>
Пункты подменю вызываются нажатием первой буквы имени. Пункт Edit служит для редактирования исходных данных (правой таблицы). При этом последовательно возникают дополнительные сообщения:
Enter Parameter Number to be edited:?
<Введите номер параметра для редактирования:?>

Мoves cursor; E(dit); ESC Return
<Движение курсора; Е - редактирование; ESC - возврат>

Нужный параметр выбирается вертикальным перемещением курсора, при нажатии Enter редактирование начинается с первого параметра, причем при вводе каждого числа курсор смещается на строчку вниз. Для подтверждения режима редактирования необходимо нажать Е.
После ввода очередных данных прибора PEP пересчитывает их в соответствующие параметры модели Micro-CAP II и помещает в левой таблице.
Пункты Next и Last осуществляют переход к следующему или предыдущему компоненту в библиотеке PEP.
Пункт View позволяет просмотреть названия всех компонентов заданного типа, содержащихся в библиотеке PEP и передвижением курсора выбрать соответствующий компонент для просмотра и корректировки его параметров.
Пункт Jump обеспечивает переход на таблицы параметров компонента с заданным названием.
Пункт Copy позволяет осуществить копирование библиотеки PEP в библиотеку Micro-CAP II и работает совместно с Type.
Как было сказано выше, библиотеки PEP более обширны, чем библиотеки Micro-CAP II. Таким образом, пользователю следует выбрать из набора компонентов PEP (120 каждого типа) лишь часть (до 100), которую способна поддерживать библиотека Micro-CAP II. Для этого следует присвоить номера компонентам в соответствии с предполагаемой структурой библиотеки Micro-CAP II. Указанное присвоение осуществляется пунктом Type, инициализация которой выводит на экран сообщение:
Enter MCAP-II type# to reciеve parameter set. Enter 1-99
or for none.?
<Введите номер компонента Micro-CAP II для установки
параметра. Введите 1-99 или для нулевого.?>
Cледует ввести номер компонента (от 1 до 99) в будущей библиотеке Micro- CAP II, причем, если этот номер уже имеется, то ввод блокируется и выдается соответствующее предупреждающее сообщение и звуковой сигнал. Если все 100 компонентов уже определены, то следует исключить какой-либо, введя U или . Указанный компонент становится непомеченным (на левой таблице вместо номера появляется Unassigned), а номер, соответственно, освобождается. Если библиотека Micro-CAP II формируется заново, целесообразно вначале отменить разметку для всех компонентов, а затем проставить номера у требуемых.
Когда библиотека PEP подготовлена к копированию, вызывается пункт Copy. При этом программа запрашивает имя расширения библиотеки Micro-CAP II и производит автоматическое копирование всех отмеченных элементов.
Пункт Alias позволяет ввести имя компонента (его марку) с числом символов не более 9, а команда Memo - характеристику, т.е. расшифровку функционального назначения (не более 25 символов). При обозначении отечественных компонентов с целью обеспечения независимости от русификации используемой ЭВМ целесообразно применять соответствующие латинские буквы: например, вместо П используется P, вместо Д - D и т.д.
Пункт Plot осуществляет вывод на дисплей cемейства вольт-амперных характеристик компонента при заданных значениях параметров. Как правило, значения параметров задаются по справочным данным, имеющим значительный разброс. Варьируя параметры в незначительных пределах, можно достичь сходства статических характеристик модели с экспериментальными, и, тем самым, уточнить значения параметров. Более подробно на работе команды Plot остановимся при рассмотрении моделей компонентов. Вывод графиков на печать принтером здесь на предусмотрен, но копию экрана можно получить используя например драйвер graphics.com, входящий в состав MS DOS.
Пункт Help вызывает на экран сокращенные данные о формате текущей команды или расшифровке списка параметров рассматриваемого компонента.
Пункт меню Sort позволяет упорядочивать содержимое библиотеки PEP по именам (2) или характеристикам (1).
Пункт Find позволяет выбрать из библиотеки те приборы, которые имеют параметры в диапазоне заданных. Для этого программа запрашивает последовательно:
Enter Parametеr number from PEP Library Page?
<Введите номер параметра библиотеки PEP?>
Minimum Value of parameter?
<Минимальная величина параметра?>
Maximum Value of parameter?
<Максимальная величина параметра?>
Программа находит компонент, заданный параметр которого находится в указанном диапазоне. Если таких компонентов несколько, то выдается сообщение:
Find Next , ESC to Quit
<Искать следующий , ESC для выхода>
Пункт Quit выводит в главное меню PEP.
Рассмотрим порядок работы для подготовки параметров компонентов с помощью PEP. Он зависит от типа компонентов.
2.3. Модель биполярного транзистора
Micro-CAP II использует модель Эберса-Молла биполярного транзистора [4- 9]. В модели дополнительно могут задаваться сопротивления базовой и коллекторной области, учитывается изменение барьерных емкостей коллекторного и эмиттерного переходов от величины напряжения на них. Типовые значения параметров биполярных транзисторов приведены в табл. 2.1.
Таблица 2.1
Таблица параметров биполярного транзистора
Bipolar Transistor from PEP4A.NEW
Alias: КТ315А

Memo: NPN
MICRO-CAP II Library type 4 PEP Library type 24
Parameter Value Parameter Value
1.BF 50 1.Beta Forward 50
2.BR 1 2.Beta Reverse 1
3.BETA TC 2000 3.CSUB 2E-12
4.IS0 1.884758E-14 4.IC (for IS) .075
5.EG 1.11 5.VBE (for IS) .75
6.CJC0 8.813181E-12 6.FT (for TF) 2E+08
7.CJE0 1.183614E-11 7.IC (for TF) 0.005
8.RB 0 8.TS (for TR) 1.5E-07
9.RC 0 9.IBF (for TR) 001
10.VA 25 10.IBR(for TR) .001
11.TF 7.459372E-10 11.ICF(for TR) .1
12.TR 2.740661E-09 12.Cobo 4.5E-12
13.MJC .33 13.VCB 5
14.VJC .75 14.Cibo 1E-11
15.MJE .33 15.VEB .5
16.VJE .75 16.VA 25
17.CSUB 2E-12 17.RJ .1
18.RJ .1


Физический смысл параметров модели Micro-CAP II (левая часть таблицы) приведен выше (см. табл.1.4). Указанные параметры можно разделить на три группы: первая группа задается непосредственно их величиной в библиотеке Micro-CAP II (левая панель) и изменение их осуществляется с помощью функциональной клавиши F1, вторая группа параметров задается в качестве входных параметров PEP и переносится в библиотеку Micro-CAP II без изменения, третья группа вычисляется с помощью PEP по входным данным.
К первой группе следует отнести (через знак равенства определена величина, задающаяся "по умолчанию"):
Корректировка указанных параметров осуществляется следующим образом: нажимается F1, после чего Micro-CAP II запрашивает:
Enter MICRO-CAP II parameter number to be edited ?
<Введите номер параметра библиотеки Micro-CAP II для редактирования?>
Пользователь имеет возможность ввести требуемую величину параметра. Eсли выбранный параметр вычисляется или переносится из правой таблицы, то PEP отвечает:
Cannot edited this feld ... Press any key to continue ...
<Этот параметр не может быть отредактирован ... Нажмите
любую клавишу для продолжения...>
Ко второй группе параметров относятся:
BF - коэффициент передачи тока базы в нормальном режиме;
BR - коэффициент передачи тока базы в инверсном режиме;
CSUB - емкость подложки (Ф);
VA - напряжение Эрли (В);
RJ - минимальное сопротивление эмиттерного перехода (Ом).
Третья группа параметров определяется расчетом по входным данным (правая таблица), представляющим собой характерные точки на вольт-амперных характеристиках транзистора, величины емкостей переходов транзистора, времен рассасывания в стандартных режимах и т.д.
IS0=1E-12 - ток насыщения коллекторного перехода (А). Определяется по измеренным в активной области параметрам: VBE - напряжению база-эмиттер (В) и соответствующему току коллектора IC (А) в соответствии с экспоненциальной аппроксимацией входной ВАХ:
IS0 = IC/(exp(VBE/VT) - 1),

где VT=26 мВ - тепловой потенциал при комнатной температуре.
VBE и IC - 4 и 5 входной параметр таблицы PEP, соответственно.
CJC0 и CJE0 - емкости коллекторного и эмиттерного, соответственно, переходов при нулевом смещении. Определяются по измеренным при напряжениях VCB (B) и VEB (В) емкостям переходов Cobo (Ф) и Cibo (Ф) при обратном смещении в соответствии с соотношениями:
CJC0 = Cobo * (1 + VCB / VJC)^MJC,
CJE0 = Cibo * (1 + VEB / VJE)^MJE.
Здесь Cobo, VCB, Cibo, VEB - 12 - 15 входные параметры таблицы PEP. (Заметим, что VEB - модуль запирающего напряжения на эмиттерном переходе).
TF - время переноса заряда при нормальном режиме (с).
Вычисляется при измеренных в стандартном режиме значениях граничной частоты FT (Гц) и коллекторного тока IC (А). Режим измерения:
VBE = VJE + 0.1 В;
VCE = 10 В.
Для указанного режима вычисляются значения барьерных емкостей:
СJC = CJC0 / (1 - (VBE - VCE)/VJC)^MJC
CJE = 2^MJE * CJE0 * (2 * MJE * VBE/VJE + (1 - MJE))
и эквивалентная постоянная времени
TF = 1/(2 * п * FT) -
(VT/IC) * (CJE + CJC * (1 + IC * RC /VT)).
FT и IC - 6 и 7 параметры таблицы PEP.
TR - время переноса заряда в инверсном режиме, с. Вычисляется по результатам измерения времени рассасывания TS (с) при запирании отрицательным током базы IBR (A) из насыщенного состояния с током базы IBF (A) и током коллектора ICF (A). Вычисляются коэффициенты передачи тока эмиттера в прямом и инверсном включении:
AF = BF / (1 + BF),
AR = BR / (1 + BR).
Определяется постоянная времени рассасывания
Tsat = TS / Ln ((IBF + IBR) / (ICF/BF + IBR)).
Вычисляется
TR = Tsat * (1 - AF * AR) / AR - AF * TF / AR.
TS, IBF, IBR, ICF - 8-11 параметры таблицы PEP.
Полученные параметры модели могут быть уточнены путем расчета статических характеристик транзистора и сравнения их с экспериментальными с помощью пункта меню Plot, который вызывает таблицу параметров и опций вида:
I-V Characteristics Plotting Routine:
Bipolar Transistor
Minimum value for x-axis in Volts. 0
Maximum value for x-axis in Volts. 10
Maximum step-size for x-axis in Volts. 0.5
Maximum percentage change. 2
Minimum value for IB in Amperes. 0
Maximum value for IB in Amperes. 30E-6
Step size for Ib in Amperes. 5E-6


Maximum output current in Amperes. 0.01
Minimum output current in Amperes. 0


Print Graph Labels (Y,N) Y
Table of values. (C,P,D,N) N
Show values on screen (Y,N) N



Are these correct? (Y,N,ESC)

Изменяя параметры таблицы можно построить семейство выходных характеристик биполярного транзистора при заданных параметрах его модели в интересующем диапазоне токов базы и напряжений коллектор-эмиттер.
Опция Print Graph Labels (Y,N) позволяет "подписывать" кривые семейства, опция Table of values (C,P,D,N) обеспечивает табулирование характеристик с выводом результатов на дисплей (С), принтер (Р), или записью на диск (D) в файл table.val. Опция Show values on screen (Y,N) обеспечивает вывод на дисплей текущие значения напряжения коллектор-эмиттер и тока коллектора.
Вид семейства выходных характеристик транзистора КТ315А приведена на " Рис. 2.1. Семейство выходных характеристик транзистора КТ315А ".
Библиотека параметров отечественных транзисторов составлена на основе справочника [14].
2.4. Модель полупроводникового диода
Типовые значения параметров полупроводникового диода приведены в табл. 2.2.
Таблица 2.2
Таблица параметров полупроводникового диода
Diode from PEP4A.NEW
Alias: KD213A Memo: SI
MICRO-CAP II Library type 14 PEP Library type 14
Parameter Value Parameter Value
1.IS0 1.585837E-16 1.VD (for IS) 1
2.VZ 200 2.ID (for IS) 10
3.RZ 10 3.CJ 5.5E-10
4.RF .01 4.VZ 200
5.CJO 5.5E-10 5.RZ 10
6.RP 40000 6.VR (for RP) 200
7.EG 1.11 7.IR (for RP) .005
8.MJ .05 8.RF .01
9.VJ .75 9.MJ .5
10.TF .0000001 10.VJ .75
11.TF .0000001

Придерживаясь способа разбиения на группы параметров модели, описанного в разделе 2.1, рассмотрим параметры модели диода.
К первой группе относится:
EG=1.11 - ширина запрещенной зоны (В).
Этот параметр редактируется с помощью клавиши F1. Ко второй группе параметров относятся:
Указанные параметры передаются из библиотеки PEP в библиотеку Micro- CAP II без пересчета.
К третьей группе параметров, вычисляемой PEP с использованием входных данных, относятся параметры:
IS0=1E-14 - ток насыщения (А).
Вычисляется по заданной точке на прямой ВАХ диода - напряжению VB (B) и току ID (А):
IS0 = ID / (exp (VD/VT) - 1).
VD и ID - 1 и 2 строки параметров входных данных PEP.
RP - сопротивление утечки (Ом).
Вычисляется по току IR (А) обратной ВАХ диода, соответствующей обратному напряжению VR (В):
RP = VR / IR,
где VR, IR - 6 и 7 параметры входных данных PEP.
Работа команды Plot аналогична описанной выше. Типичная характеристика диода типа KD213A приведена на " Рис. 2.2. ВАХ диода типа КД213А".
Библиотека параметров отечественных диодов составлялась на основе справочника [15].
2.5. Модель операционного усилителя
Типовые значения параметров операционного усилителя приведены в табл. 2.3
Таблица 2.3
Таблица параметров операционного усилителя
Operational Amplifier from PEP4A.NEW
Alias: K140UD6 Memo:OP.AMP
MICRO-CAP II Library type 6 PEP Library type 6
Parameter Value Parameter Value
1.RIN 1000000 1.RIN 1000000
2.AO 70000 2.AO 70000
3.RO 75 3.RO 75
4.VOS .005 4.VOS .005
5.VOS TC .00002 5.VOS TC .00002
6.F1 14.28571 6.GBP 1000000
7.F2 1E+07 7.Second Pole 1E+07
8.SR 2500000 8.Slew Rate 2500000
9.IOS 1E-08 9.IOS 1E-08
10.IB 8E-08 10.IB 8E-08
11.Int. 10 11.Doubling interval 10
12.First pole 0

Нетрудно заметить, что почти все параметры операционного усилителя передаются из PEP в Micro-CAP II без пересчета. Исключение составляет параметр GBP - площадь усиления, равная произведению коэффициента усиления AO * F1. Физический смысл параметров ясен из табл. 1.7, а параметры эквивалентной схемы имеются в соответствующих справочниках. Приведем лишь величины параметров, устанавливаемых PEP "по умолчанию":
RIN = 2E6 Oм SR = 5Е7 В/с
AO = 200000 IOS = 0 А
RO = 75 Ом IB = 0 А
VOS = 0 B Int = 10 С
VOS TC = 0 В

Пункт меню Plot для построения статической передаточной ВАХ операционного усилителя не работает, т.к. передаточная характеристика превращается в тривиальную прямую вследствие отсутствия в модели ограничения выходного напряжения. Параметры отечественных аналоговых интегральных схем приведены в [16].
2.6. Модель МОП - транзистора
Для МОП транзисторов используется модель, принятая в программе SPICE (модель Schichman-Hodges) и имеющая фиксированный междуэлектродные емкости. Таким образом нелинейность емкостей не учитывается. Типовые значения параметров МОП-транзистора приведены в табл. 2.4.
Таблица 2.4
Таблица параметров МОП-транзистора
MOSFET from PEPA.lib
Alias: KP912A Memo: N MOS
MICRO-CAP II Library type 20 PEP Library type 20
Parameter Value Parameter Value
1.BETA .3194445 1.RDS(on) 1
2.VTO 4 2.VGS(RDS(on)) 20
3.CGD 1.6E-11 3.ID(RDS(on)) 10
4.CGS 1.6E-11 4.Ciss 4.5E-10
5.RD 0 5.Coss 2.5E-10
6.RS 0 6.Crss 1.6E-11
7.BETA TC 2500 7.VTO 4
8.VTO TC 0.005 8.Lambda 0
9.CGC 4.18E-10
10.GAMMA 0
11.LAMBDA 0
12.PHI 0.6
13.COUT 2.34E-10

К первой группе параметров относятся следующие параметры:
Указанные параметры изменяются с помощью клавиши F1.
Ко второй группе параметров относятся:
Указанные параметры передаются из библиотеки PEP в Micro-CAP II без изменений. При описанной методике расчета входной и проходной емкостей транзистор представляется симметричной структурой. При необходимости коррекцию можно осуществить редактором библиотеки Micro-CAP II.
К третьей группе параметров относятся:
Вычисление BETA осуществляется по величине сопротивления канала транзистора на начальном участке выходных характеристик. Несложно показать [17], что коэффициент BETA для крутого участка ВАХ вычисляется по формуле:
BETA = 1 / ( 2 * RON * (VGS - VTO - RON * ID)),
где RON - выходное статическое сопротивление транзистора на начальном (крутом) участке характеристик (Ом);
Параметр Lambda определяет линейное нарастание BETA с ростом VDS за счет модуляции длины канала. Ее величина подбирается по наклону выходных характеристик на пологом участке, типичные значения составляют 0.001 - 0.05.
CGC - емкость затвор-канал (Ф). Определяется разностью
CGC = Ciss - 2 * Crss.
COUT - выходная емкость (Ф). Определяется в виде:
COUT = Coss - Crss.
Ciss, Coss, Crss - входные параметры таблицы PEP.
Типичное семейство выходных характеристик МOП-транзистора типа КП912А, построенное с помощью пункта меню Plot, приведено на " Рис. 2.3. Семейство выходных характеристик транзистора КП912А ".
Следует отметить, что модели маломощных и мощных полевых транзисторов идентичны, что не позволяет учесть некоторые специфические особенности работы последних. Однако по мере совершенствования мощных приборов их модели приближаются к моделям маломощных, отличаясь от них лишь значениями параметров - крутизны, тока стока и др.
2.7. Модель полевого транзистора
с управляющим p-n переходом (JFET)
Модель полевого транзистора с управляющим p-n переходом (JFET) создается на основе модели МОП-транзистора. Поэтому таблица параметров библиотеки Micro-CAP II для JFET-транзистора совпадает с таблицей параметров MOSFET (табл. 2.5).
Таблица 2.5
Таблица параметров полевого транзистора с управляющим
p-n переходом
JFET from PEP4A.NEW

Alias: KP302A Memo: N-CHANNEL JFET
MICRO-CAP II Library type 38 PEP Library type 11
Parameter Value Parameter Value
1.BETA .0016 1.IDSS .02
2.VTO -5 2.VGS(off) -5
3.CGD 8E-12 3.Ciss 2E-11
4.CGS 8E-12 4.Crss 8E-12
5.RD 0 5.Coss 0
6.RS 0 6.Lambda 0
7.BETA TC 2500
8.VTO TC 0.005
9.CGС 1.2E-11
10.GAMMA 0
11.LAMBDA 0
12.PHI 0.6
13.COUT 0

Однако входные параметры PEP несколько отличаются, что обусловлено способом измерения и вычисления параметров JFET-транзистора. Удельная крутизна BETA определяется значением тока насыщения IDSS при нулевом напряжении затвор-исток. При известном напряжении отсечки VGS(off) BETA вычисляется в соответствии с выражением [17]:
BETA = 1 * IDSS / VGS(off)^2
Eмкости CGS и CGD модели Micro-CAP II определяются аналогично MOSFET - транзистору, емкость CGC вычисляется по формуле: m
CGC = Ciss - Crss,
а емкость COUT задается и корректируется c помощью клавиши F1. При формировании моделей JFET-транзисторов необходимо помнить, что в Micro-CAP II они помещаются в ту же библиотеку, что и MOS-транзисторы.
Типичное семейство выходных характеристик полевого транзистора с управляющим p-n переходом типа KП302A представлено на " Рис. 2.4. Семейство выходных характеристик транзистора КП302А ".
В приложении 1 приведены типы отечественных и зарубежных полупроводниковых приборов, имеющихся в библиотеке PEP pep4a.new, pep4b.new. Они могут быть использованы для формирования библиотек моделей Micro-CAP II.
Следующий параграф 3.